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多少(c)在Cl2-NDI的1.8nm厚(001)平面中晶体堆积的侧视图。图二、间快剪店掺杂对n型单晶FET特性的影响(a)47μm厚Cl2-NDI晶体在暴露于N-硅烷蒸气(100μl,间快剪店1h)前后FET ID-VG曲线的变化, 暴露之前(空心方块)和之后(实心圆圈)的。
多少(b)Cl2-NDI和PDIF-CN2的分子结构。文献链接:间快剪店Site-specificchemicaldopingrevealselectronatmospheresatthesurfacesoforganicsemiconductorcrystals(NatureMaterials,2021,10.1038/s41563-021-01079-z)本文由材料人CYM编译供稿。2019年至今,多少担任山东大学晶体材料国家重点实验室教授。
(c,间快剪店d)掺杂效应σs和VT与晶体台阶密度之间的关系。(b)掺杂前后Cl2-NDI单晶的UPS能谱,多少以及对应的能带结构。
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